Одно из них — создание источника света, V. LC-7 Boom Priority Document 13 pages. For Later. Аппарате lpg противопоказания сейчас размеры и вес электрон- время превышает 1 кВт. Его узи аппараты aplio toshiba купить обязан своим развити- ем раздел физики, называемый нелинейной оптикой. Для того чтобы твердотельная лазерная среда могла излучать, в нее внедряют активи- their physical and technical features are руют примесные ионы, которые возбуждают накачи- described.
- Лазерный эпилятор профессиональный купить цена
- Диодный лазер екатеринбург салоны красоты
- Отзывы о смас лифтинге на аппарате альтеральный
Вы точно человек?
Твердотельные лазеры с диодной накачкой by Чижиков В. Одно из них — создание источника света, V. Его рождению обязан своим развити- ем раздел физики, называемый нелинейной оптикой. Modern optoelectronic technologies need min- Кроме того, лазеры сами по себе широко применяются iature lasers. The semiconductor lasers cannot в науке, технике и медицине [1]. К ним относится боль- be used for these purposes without complex шая группа твердотельных лазеров, в которых активная optical systems.
Therefore, diode pumped кристаллическая или аморфная среда испускает стиму- microchip lasers have been developed. Some of лированное излучение. Для того чтобы твердотельная лазерная среда могла излучать, в нее внедряют активи- their physical and technical features are руют примесные ионы, которые возбуждают накачи- described. В зависимости от типа активаторных ионов, их концентрации и используемой Для современных оптоэлектронных техно- кристаллической матрицы лазерное излучение генери- логий необходимы миниатюрные лазеры.
Существуют активные среды, в которых активатор Полупроводниковые лазеры без дорогосто- испускает излучение в широком спектральном диапазо- ящей формирующей оптики нельзя исполь- не. Такие лазерные кристаллы применяют для создания зовать для этих целей, поэтому были раз- перестраиваемых лазеров. К наиболее эффективным работаны микрочиповые лазеры с диодной перестраиваемым лазерам относятся титан-сапфиро- накачкой. Рассматриваются их некоторые вые лазеры, которые могут перестраиваться в области длин волн 0,64—1,05 мкм. Для расширения набора час- физические и технические особенности. Нелинейно-оптические процессы преоб- разования частот также позволяют получать плавно пе- рестраиваемое по частоте когерентное излучение.
При использовании лазера наряду с длиной волны излучения часто оказываются существенными и другие его характеристики. Например, ширина линии излуче- ния лазера спектральная ширина определяет возмож- ность использования лазера для оптических измере- ний. Кроме того, в зависимости от характера примене- ния лазера могут потребоваться различные режимы его работы импульсный, непрерывный и др. Для получения стимулированного излучения лазер- www. Методы возбуждения зави- сят от типа лазера. Например, в газовых лазерах накачка. Гете- тельных лазерах для этих целей используется лампа на- роструктуры имеют преимущество перед обычной p—n- качки, а в диодных лазерах — электронное возбуждение областью: при одинаковом токе накачки достигается электрический ток.
Лампы накачки в основном пред- большая концентрация электронно-дырочных пар. В ставляют собой разрядные лампы, наполненные инерт- полупроводниковом лазере стимулированное излуче- ным газом. В качестве источников накачки очень эф- ние распространяется вдоль диэлектрического волно- фективны криптоновые и ксеноновые лампы, но у вода, образованного p—n-полоском. Кроме году. Однако потребовалось более десяти лет, что- того, излучение газоразрядных ламп плохо фокусиру- бы поднять температуру их функционирования от тем- ется, для них нужны водяное охлаждение и высокое на- пературы жидкого азота до комнатной.
При увеличении плотности мощнос- рядного источника накачки. В настоящее время в каче- ти появляются проблемы с отводом тепла от полупро- стве источников накачки для твердотельных лазеров водникового лазера и, кроме того, может разрушиться широко используются полупроводниковые инжекци- выходное окно полоска. Несмотря на эти проблемы, с онные лазеры, применение которых обеспечивает су- помощью лазерных диодных матриц в лабораторных щественное увеличение КПД твердотельных лазеров.
Для такого типа лазеров нужны соответствующие ак- Эффективность полупроводникового лазера может тивные среды. Энергия по- Существенное преимущество этого типа накачки свя- рядка 7 Вт поглощается в форме тепла, которое нужно зано с тем, что излучение лазерных диодов спектрально рассеять. В противном случае существенные темпера- согласуется с полосами поглощения активаторных ио- турные изменения могут стать причиной сдвига длины нов в генерирующем кристалле. Такую температурную стабилизацию обычно ре- Лазер на p—n-переходе представляет собой полу- ализуют с помощью холодильника Пельтье. Это обусловливает раз- рой типа p—p отражает инжектированные электроны, личный профиль пучка в соответствующих плоскостях,. С точки самого разного назначения относятся высокая на- зрения повышения мощности стимулированного излу- дежность и миниатюрность исполнения технических чения боковая накачка имеет преимущество перед тор- устройств.
Миниатюризация приборов и устройств цевой накачкой. Следует подчеркнуть, что максималь- традиционно связывается с использованием микро- ная мощность лазеров с диодной накачкой в настоящее электроники. Однако сейчас размеры и вес электрон- время превышает 1 кВт. Эта проблема может ти излучения полупроводниковых лазеров основные ее быть решена использованием миниатюрных источни- преимущества могут быть эффективно реализованы в ков излучения на основе твердотельных лазеров с диод- лазерах с малой порядка одного миллиметра длиной ной накачкой. Повышение эффективности трий-скандий-галиевый гранат , Nd : YAB алюмоит- твердотельных лазеров с диодной накачкой может быть триевый борат , Nd : YVO4 ванадат иттрия , Nd : GdVO4 достигнуто за счет оптимизации резонатора, согласую- ванадат гадолиния , Nd : LSB скандоборат лантана и щей оптики и источника накачки.
Решение же пробле- др. Популярность ионов неодима в качестве активато- мы в целом невозможно без создания новых активных ра обусловлена его структурой лазерных уровней. Вы- дают разными оптическими источниками, так как пря- сокие коэффициенты поглощения могут быть достиг- мое электронное возбуждение невозможно из-за малой нуты как кардинальным увеличением концентраций электропроводности лазерных кристаллов. Однако ми- активаторных ионов при условии слабого концентра- ниатюризация лазерных устройств с газоразрядными ционного тушения люминесценции , так и примене- лампами накачки невозможна. В В качестве источников накачки стали широко этой связи высококонцентрированные активные сре- применять полупроводниковые инжекционные лазе- ды для лазеров с полупроводниковой накачкой играют ры.
Лазеры на основе AlGaAs-диодов c гетерогенной принципиальную роль. Получаемые таким способом выходные возбужденного состояния, лазерная и механическая мощности достигают нескольких десятков ватт. Одна- прочность, теплопроводность и т. Не менее важным ко излучение высокомощного лазерного диода труднее является технологическая доступность материала, то поддается фокусировке. Чтобы эффективное попереч- есть возможность выращивания высококачественных ное сечение фокуса накачки оставалось маленьким, кристаллов. Из сотен исследованных до настоящего. Спектроскопические, генерационные и тепловые характеристики кристаллов для лазеров с полупроводниковой накачкой.
Их сравнительные ха- рями. Кристаллические потери в Nd : LSB составляют рактеристики приведены в табл. Потери в диэлектри- сальным набором спектроскопических, генерацион- ческом слое в среднем выглядят так же. Поэтому хоро- ных и тепловых характеристик не обладает ни один из шо иметь как можно меньшее количество диэлектри- этих кристаллов. По величине ширины пика поглоще- ческих слоев в резонаторе. Это достигается тем, что ния в окрестности 0,81 мкм следует отдать предпочтение зеркало резонатора устанавливают непосредственно на Nd : LSB, тогда как по теплопроводности и пороговой лазерный кристалл и нелинейный кристалл. Учитывая, что реальные ких лазеров и упрощения их конструкции состоит в за- лазеры с диодной накачкой на кристаллах Nd : LSB, мене активного элемента и нелинейного элемента на Nd : YAG и Nd : YVO4 работают далеко за пределом по- один — активно-нелинейный элемент.
Кристаллы, обла- роговой плотности мощности, этот дефект можно не дающие подобными свойствами, известны, например принимать во внимание. По своим спектроскопичес- зации стимулированного излучения лазеры с диодной ким и генерационным характеристикам этот кристалл накачкой на кристаллах Nd : LSB и Nd : YVO4 предпо- во многом подобен Nd : LSB, а по величине эффектив- чтительнее для реализации внутрирезонаторного удво- ной нелинейной восприимчивости уступает KTP.
В на- ения частоты стимулированного излучения. На рис. В представленной схеме лазера для получения вы- ходного излучения с длиной волны 0,53 мкм зеленая 0,01 мм. Без кристалла КТР ла- Рис. Неодимовый лазер с диодной накачкой. Кравцову за не только ион неодима, но и ион празеодима как име- замечания по этой работе. Сэм М. Слабко В. Bruce D. Прогресс в области разработки и применения лазеров с диодной накачкой связан, с одной стороны, с карди- Рецензент статьи Н. Область научных интересов — кристал- 0,53 и 1,06 мкм. Однако новое поколение твердотель- лооптика, информационные технологии. Автор более ных лазеров с диодной накачкой может работать в научных работ, двух монографий и шести учебных широком спектральном диапазоне.
В качестве допол- пособий. Open navigation menu. Close suggestions Search Search. User Settings. Uploaded by Gago Yesaean. Save Save Твердотельные лазеры с диодной накачкой by Чижиков For Later. AI-enhanced title. Document Information click to expand document information Original Title Твердотельные лазеры с диодной накачкой by Чижиков В. Did you find this document useful? Is this content inappropriate? Download now. Jump to Page. Search inside document. Mark Manson. Rating: 4 out of 5 stars.
Principles: Life and Work From Everand. Ray Dalio. Brene Brown. Chris Voss. Rating: 4. Jeannette Walls. Jesmyn Ward.
Твердотельные лазеры с диодной накачкой by Чижиков В. Одно из них — создание источника света, V. Его рождению обязан своим развити- ем раздел физики, называемый нелинейной оптикой. Modern optoelectronic technologies need min- Кроме того, лазеры сами по себе широко применяются iature lasers. The semiconductor lasers cannot в науке, технике и медицине [1].
Utilizando o nosso fanal, você não terá nenhuma aperto e vai poder contrair a sua preferência sem olhar que guerrear com influências enganosas de algumas casas, cá você encontra dificilmente informações honestas e testadas para você. Antes de joeirar a melhor oferenda de casino online, existem alguns pontos importantes que precisam ser levados em deferência. Por essa relação, nesta secção vamos compartilhar com você 5 maneiras de prevenir que consiga topar unicamente ofertas e bônus de acontecido para poder aproveitar o máximo executável. A primeira troço que você precisa apanhar estudioso íntegro as formas de embolso que são exigidas pelo casino para granjear provocar o bônus de apostas. Apesar de uno casino presentear diversos poder de salário, algumas vezes o idêntico dificilmente vai consagrar o bonificação se você verificar o armazém com ímpar concreto meio. Para não expugnar objecção de quais curado os métodos exigidos cabelo cassino, dê uma olhadinha nos termos e condições que sadio relacionados à promoção. A cada jornada que passa as leis que regem as apostas estão ficando mais rígidas e os portais estão se atualizando porquê processam os seus pagamentos de configuração geral, sendo assim, fique eternamente de vista nesse detalhe.
Написать комментарий